三星表示，这种方法将实现具有大存储容量和出色的硬盘性能的“超高”NAND堆栈，非常适合AI数据中心的超高容量固态硬盘（SSD）。该公司称，这款芯片被称为键合垂直NANDFlash，或BV NAND，是“人工智能的梦幻NAND”。 2013年，三星率先推出V NAND芯片，推出垂直存储 ...

与之前的发布一样，321 层的突破意义重大，因为它可以显著提高消费者和企业 SSD 的存储密度 ... 将成为三星 V-NAND 技术的第十代产品。