在半导体制造领域，传统光刻技术面临着高成本和低效率的双重挑战。近期，思坦科技与南方科技大学、香港科技大学以及国家第三代半导体技术创新中心（苏州）联合攻关，成功研发出基于高功率铝镓氮（AlGaN）深紫外Micro-LED显示的无掩膜光刻技术。这一重要成 ...

在半导体技术日新月异的今天，一项来自思坦科技、南方科技大学、香港科技大学及国家第三代半导体技术创新中心（苏州）联合攻关的重要成果于近期公开。这项技术是基于高功率铝镓氮（AlGaN）深紫外MicroLED显示的无掩膜光刻技术，已于10月15日在国际权威 ...

专家分析认为，这项新技术的诞生，将对整个半导体行业产生深远影响，可能引发技术进步和市场结构的重大变化。它不仅会提高中国在全球半导体领域的竞争力，也可能刺激相关技术和产业的创新发展。消费者将受益于更高效、更低成本的芯片制造，同时，也会在信息消费品上看到显著的价格下降与性能提升。

深圳2024年10月18日 -- 由思坦科技与南方科技大学、香港科技大学、国家第三代半导体技术创新中心（苏州）联合攻关的重大成果——基于高功率 AlGaN 深紫外 Micro-LED 显示的无掩膜光刻技术，于10月15日正式在国际顶尖权威学术期刊 ...

近日，《自然》出版集团旗下杂志Nature Photonics刊登了题为“High-power AlGaN deep-ultraviolet micro-light-emitting diode displays for maskless ...

证券时报e公司讯，近日， 睿创微纳 ( 51.260, 2.04, 4.14%) 控股子公司睿思微系统（烟台）有限公司（简称“睿思微系统”）在GaN基大功率S波段微波功率放大器的研究中取得重要进展。研发团队通过研究发现AlGaN/GaN HEMT器件在高温、大功率应用场景下性能退化的物理机制，通过优化器件结构，成功将 PA（功率放大器）的增益提高 1dB，效率提升 ...

（全球TMT2024年10月21日讯）由思坦科技与南方科技大学、香港科技大学、国家第三代半导体技术创新中心（苏州）联合攻关的重大成果——基于高功率 ...

这项研究成果以“Vertically Integrated Self‐Monitoring AlGaN‐Based Deep Ultraviolet Micro‐LED Array with Photodetector Via a Transparent Sapphire Substrate Toward Stable and Compact ...

中国科学技术大学孙海定教授iGaN Lab课题组与武汉大学刘胜院士团队合作，成功开发了以第三代半导体氮化镓（GaN）为核心材料的光电神经突触器件，实现了化学调控的神经形态功能。该研究首次提出了利用光电化学器件架构，结合传统半导体构筑新型半导体 ...

2024年10月24日，思泰克（301568）新增“光刻机”概念。 据同花顺数据显示，入选理由是：2024年5月30日公告：公司以自有资金向思坦科技出资 3, 600 万元人民币，本次增资完成后，公司将持有思坦科技 1.94%的股权。据思坦科技2024年10月18日官微：由思坦科技与南方科技大学、香港科技大学、国家第三代半导体技术创新中心（苏州）联合攻关的重大成果——基于高功率 AlGaN 深紫外 ...

目前，金刚石与GaN功率器件的集成通常从两方面进行，一是GaN顶部的器件层散热，主要应用金刚石钝化散热技术，金刚石钝化散热是直接在器件顶部沉积金刚石，提高热点 顶部的热扩散，同时起到增大换热面积的作用；二是GaN底部金刚石衬底散热，主要有GaN底部 ...